Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (464 Beoordelingen)
BSZ0804LSATMA1
Productoverzicht
12975911
DiGi Electronics Onderdeelnummer
BSZ0804LSATMA1-DGFabrikant
Infineon Technologies
BSZ0804LSATMA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSONVoorraad
1000400 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
BSZ0804LSATMA1 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
OptiMOS™ 5
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8 FL
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSZ0804
Datasheet & Documenten
Technische fiches
BSZ0804LS
HTML Gegevensblad
BSZ0804LSATMA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
Vervangende onderdelen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
정확하고 빠른 배송 덕분에 업무에 큰 도움이 됐어요. 제품도 매우 만족스럽습니다.
снежня 02, 2025
Ils se démarquent par leur organisation logistique et leur excellent support client.
снежня 02, 2025
Je suis impressionné par leur rapidité à traiter et expédier mes commandes.
снежня 02, 2025
I appreciate their focus on delivering value through quality and cost.
снежня 02, 2025
Their competitive pricing and reliable build make their products a smart choice.
снежня 02, 2025
Excellent logistics and support services make them a standout provider.
снежня 02, 2025
The value I get from DiGi Electronics’ products is unmatched.
снежня 02, 2025
I’ve been impressed with how their components maintain performance after repeated use.
снежня 02, 2025
Whenever I had a question, customer service responded rapidly and professionally.
снежня 02, 2025
We appreciate their proactive communication and efficient handling of after-sales issues.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Infineon BSZ0804LSATMA1 MOSFET?
De BSZ0804LSATMA1 is een N-channel MOSFET ontworpen voor hoge efficiëntie, met een drain-source spanning van 100V, tot 40A continue drainstroom bij een temperatuur van Tc, en een lage Rds(on) van 9,6 milliohm. Het beschikt over een oppervlakte-montage PG-TDSON-8 behuizing en ondersteunt werking bij temperaturen van -55°C tot 150°C.
Is de Infineon BSZ0804LSATMA1 MOSFET geschikt voor krachtige elektronische toepassingen?
Ja, deze MOSFET is geschikt voor diverse elektronische toepassingen zoals motoraandrijving, voedingen en DC-DC-converters, dankzij de hoge stroomcapaciteit, lage Rds(on) en hoge vermogensafvoer.
Wat is de compatibiliteit en spanningsspecificatie van de BSZ0804LSATMA1 MOSFET?
De MOSFET heeft een maximale drain-source spanning van 100V en kan worden aangestuurd met een poogvoltage tussen 4,5V en 10V, waardoor hij compatibel is met standaard spanningsregelaars en vermogenbeheer systemen.
Wat zijn de voordelen van het kiezen voor de Infineon OptiMOS™ 5-serie MOSFET?
De OptiMOS™ 5-serie biedt lage Rds(on), hoge efficiëntie en uitstekende thermische prestaties, wat helpt om energieverlies te verminderen en de algehele betrouwbaarheid van uw elektronische ontwerpen te verbeteren.
Kan ik de BSZ0804LSATMA1 MOSFET in bulk bestellen en wat is de garantieregeling?
Ja, deze MOSFET is beschikbaar in grote hoeveelheden, met meer dan 1 miljoen stuks op voorraad, en wordt ondersteund door fabrieksgarantie en technische ondersteuning, wat kwaliteit en leveringsbetrouwbaarheid voor uw projecten garandeert.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
BSZ0804LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ0804LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
