Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (105 Beoordelingen)
IMZA120R007M1HXKSA1
Productoverzicht
12999225
DiGi Electronics Onderdeelnummer
IMZA120R007M1HXKSA1-DGFabrikant
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Beschrijving
SIC DISCRETEVoorraad
89088 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
IMZA120R007M1HXKSA1 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 47mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9170 nF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
750W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-4-8
Pakket / Doos
TO-247-4
Datasheet & Documenten
Technische fiches
IMZA120R007M1H
HTML Gegevensblad
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
Des prix très intéressants et un emballage écologique, c’est ce qui me fait continuer à faire mes achats chez DiGi Electronics.
снежня 02, 2025
DiGi Electronics se distingue par ses prix abordables et un service après-vente de grande qualité.
снежня 02, 2025
Bei DiGi Electronics stimmt die Qualität, und die Versandzeiten sind stets eingehalten worden.
снежня 02, 2025
Post-purchase support was attentive and resolved my concerns swiftly, excellent service.
снежня 02, 2025
Working with DiGi Electronics has always been a positive experience.
снежня 02, 2025
Affordable prices and dedicated after-sales assistance make them a preferred provider.
снежня 02, 2025
Every delivery arrives in perfect condition, thanks to their excellent packaging.
снежня 02, 2025
Absolutely impressed with their professional customer service; they always go above and beyond to assist.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken en specificaties van de Infineon CoolSiC™ N-Channel MOSFET (IMZA120R007M1HXKSA1)?
Deze SiC-MOSFET heeft een spanningsclassificatie van 1200V, een continue afvoerstroom van 225A bij 25°C en een vermogensverlies tot 750W. Hij is ontworpen voor hoogefficiënte schakeling met geoptimaliseerde Rds On (maximaal 9,9 mOhm bij 108A, 18V).
Is de Infineon SIC discrete MOSFET compatibel met toepassingen op hoge temperaturen?
Ja, deze MOSFET functioneert binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 175°C, waardoor hij geschikt is voor toepassingen in krachtsturingen en industriële omgevingen met hoge temperaturen.
Hoe draagt de SiCFET-technologie bij aan deze MOSFET in vergelijking met traditionele siliciumapparaten?
Siliciumcarbide (SiC)-technologie biedt lagere schakelkrachten, hogere efficiëntie en betere thermische prestaties, wat helpt om energieverbruik te verminderen en de betrouwbaarheid van het apparaat te vergroten in vermogensomzettingssystemen.
Welke bevestigings- en behuizingopties zijn beschikbaar voor deze MOSFET, en is hij geschikt voor via-gatmontage?
De MOSFET wordt geleverd in een PG-TO247-4 behuizing, ontworpen voor via-gatmontage, wat zorgt voor stevige mechanische ondersteuning en goede thermische afvoer voor stroomcircuits.
Welke voordelen biedt het kopen van deze MOSFET bij de originele fabrikant op het gebied van garantie en ondersteuning?
Direct kopen bij Infineon Technologies garandeert originele, hoogwaardige producten met betrouwbare technische ondersteuning, waardoor optimale prestaties en naleving van internationale normen zoals RoHS en REACH worden gewaarborgd.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
