Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
IPB65R155CFD7ATMA1
Infineon Technologies
HIGH POWER_NEW
89822 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (467 Beoordelingen)
IPB65R155CFD7ATMA1
Productoverzicht
12989777
DiGi Electronics Onderdeelnummer
IPB65R155CFD7ATMA1-DGFabrikant
Infineon Technologies
IPB65R155CFD7ATMA1
Beschrijving
HIGH POWER_NEWVoorraad
89822 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
IPB65R155CFD7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
CoolMOS™ CFD7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
155mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 320µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1283 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
77W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB65R
Datasheet & Documenten
Technische fiches
IPB65R155CFD7
HTML Gegevensblad
IPB65R155CFD7ATMA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP005413374
448-IPB65R155CFD7ATMA1TR
448-IPB65R155CFD7ATMA1DKR
448-IPB65R155CFD7ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
DiGi Electronicsの製品は常に高品質で信頼できます。配送もとても迅速で、驚きました！
снежня 02, 2025
I received my order earlier than expected, thanks to their prompt logistics.
снежня 02, 2025
High cost-performance ratio, coupled with intuitive website features, impresses me.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste eigenschappen van de Infineon IPB65R155CFD7ATMA1 MOSFET?
Deze N-kanaals MOSFET heeft een spanningsclassificatie van 650V, een continue afvoerstroom van 15A en een lage Rds(on) van 155mΩ, waardoor het geschikt is voor hoogvermogen toepassingen. Hij is ontworpen voor oppervlaktemontage met een PG-TO263-3 behuizing en werkt binnen een breed temperatuurbereik van -55°C tot 150°C.
Is de Infineon IPB65R155CFD7ATMA1 MOSFET compatibel met gangbare voedingscircuits?
Ja, deze MOSFET kan worden gebruikt in verschillende voedingen dankzij zijn hoge spannings- en stroomwaardes, lage Rds(on) en een bediening van 10V. De stevige constructie maakt hem geschikt voor schakelvoedingen, motorbesturing en andere hoogvermogen toepassingen.
Wat zijn de voordelen van het gebruik van deze hoogvermogen MOSFET in elektronische apparaten?
De hoge vermogensdissipatiecapaciteit (77W) en lage Rds(on) verbeteren de energie-efficiëntie en helpen warmteontwikkeling te beperken. Daarnaast zorgt het brede bedrijfstemperatuurbereik en de robuuste bouw voor duurzaamheid en betrouwbare prestaties onder veeleisende omstandigheden.
Hoe monteer en handel ik de Infineon IPB65R155CFD7ATMA1 MOSFET op de juiste manier?
De MOSFET is ontworpen voor oppervlaktemontage met de PG-TO263-3 behuizing. Zorg voor goede thermische afvoer en neem antistatische maatregelen tijdens handling om optimale prestaties te behouden en schade te voorkomen.
Wat zijn de garantie- en aftersalesondersteuning voor dit MOSFET-product?
Het product is nieuw, origineel en op voorraad, en wordt doorgaans geleverd met standaard fabrieksgaranties. Voor gedetailleerde informatie over ondersteuning en garanties, neem contact op met de leverancier of geautoriseerde distributeur waar u het apparaat hebt aangeschaft.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
IPB65R155CFD7ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPB65R155CFD7ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
