NTH4L040N120SC1 >
NTH4L040N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
9738 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Offerte Aanvragen (Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
NTH4L040N120SC1 onsemi
5.0 / 5.0 - (271 Beoordelingen)

NTH4L040N120SC1

Productoverzicht

12938497

DiGi Electronics Onderdeelnummer

NTH4L040N120SC1-DG

Fabrikant

onsemi
NTH4L040N120SC1

Beschrijving

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Voorraad

9738 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

Kwaliteitswaarborg

365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.

90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.

Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.

Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking

Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen

100% ESD Antistatische Verpakkingen

Real-time tracking voor elk bestel

Veilige & Flexibele Betaling

Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer

Alle betalingen versleuteld voor beveiliging

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 1 17.4775 17.4775
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen (Verzendt morgen)
* Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

NTH4L040N120SC1 Technische specificaties

Categorie Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant onsemi

Verpakking Tube

Reeks -

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie SiCFET (Silicon Carbide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 1200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 58A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 20V

Rds aan (max) @ id, vgs 56mOhm @ 35A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 10mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 20 V

Vgs (Max.) +25V, -15V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 1762 pF @ 800 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 319W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage Through Hole

Leverancier Device Pakket TO-247-4L

Pakket / Doos TO-247-4

Basis productnummer NTH4L040

Datasheet & Documenten

Technische fiches

NTH4L040N120SC1

HTML Gegevensblad

NTH4L040N120SC1-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) Not Applicable
REACH-status REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
青***リエ
снежня 02, 2025
5.0
商品の発送が早く、すぐに受け取ることができました。品質も素晴らしいです。
Wil***art
снежня 02, 2025
5.0
The after-sales support is exceptional, always prompt and helpful when I have questions or concerns.
Bri***Bee
снежня 02, 2025
5.0
DiGi Electronics has a reputation for reliability that I trust completely.
Twil***tGaze
снежня 02, 2025
5.0
Their logistical tracking system is comprehensive, giving live updates that help coordinate delivery smoothly.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Veelgestelde vragen (FAQ)

Wat zijn de belangrijkste kenmerken en voordelen van de NTH4L040N120SC1 SiCFET MOSFET?

De NTH4L040N120SC1 beschikt over een hoge spanningsspecificatie van 1200V en een continue drainstroom van 58A, waardoor hij geschikt is voor hoogvermogen toepassingen. De SiCFET-technologie zorgt voor effici"ente schakeling en een lage Rds On, wat het energieverlies en de warmteontwikkeling vermindert.

Is de NTH4L040N120SC1 MOSFET compatibel met gangbare elektronische circuits?

Ja, deze N-kanaal MOSFET is ontworpen met een Vgs(max) van +25V en -15V, waardoor hij compatibel is met standaard bestuurbelsystemen. Het doorboorde TO-247-4L-behuizing maakt integratie in diverse bevestigingsopstellingen eenvoudig.

Wat zijn de typische toepassingen voor de NTH4L040N120SC1 MOSFET?

Deze hoogspannings SiC MOSFET is ideaal voor voedingen, motorbesturingen en hoogspanningsschakeltoepassingen waar efficiëntie en betrouwbaarheid vereist zijn.

Hoe draagt de thermische prestatie van de NTH4L040N120SC1 bij aan apparaatontwerp?

Met een maximale dissipatie van 319W bij 25°C en een bedrijfstemperatuurbereik van -55°C tot 175°C biedt deze MOSFET uitstekende thermische prestaties, wat betrouwbare werking in veeleisende omgevingen mogelijk maakt.

Gaat de NTH4L040N120SC1 met garanties of after-sales ondersteuning gepaard?

Als een origineel product op voorraad, wordt het geleverd door een betrouwbare fabrikant, onsemi. Voor specifieke garanties of after-sales ondersteuning kunt u rechtstreeks contact opnemen met de leverancier of geautoriseerde distributeurs.

Kwaliteitswaarborg (QC)

DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.

Kwaliteitswaarborg
Nep counterfeit en defecten voorkomen

Nep counterfeit en defecten voorkomen

Uitgebreide screening om vervalste, gereviseerde of defecte componenten te identificeren, zodat alleen authentieke en conforme onderdelen worden geleverd.

Visuele en verpakkinginspectie

Visuele en verpakkinginspectie

Elektrische prestatieverificatie

Verificatie van de componentuiterlijk, markeringen, datacodes, verpakkingsintegriteit en labelconsistentie om traceerbaarheid en conformiteit te waarborgen.

Levens- en betrouwbaarheidsevaluatie

DiGi Certificering
Blogs en Berichten
NTH4L040N120SC1 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Nog geen account? Registreren