Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
UF3C120040K4S
Qorvo
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
68556 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (385 Beoordelingen)
UF3C120040K4S
Productoverzicht
12930662
DiGi Electronics Onderdeelnummer
UF3C120040K4S-DGFabrikant
Qorvo
UF3C120040K4S
Beschrijving
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4Voorraad
68556 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
UF3C120040K4S Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
12V
Rds aan (max) @ id, vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
429W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4
Pakket / Doos
TO-247-4
Basis productnummer
UF3C120040
Datasheet & Documenten
Technische fiches
UF3C120040K4S
HTML Gegevensblad
UF3C120040K4S-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
2312-UF3C120040K4S
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
문제 해결 능력이 뛰어나고 고객 중심적인 접근이 인상적입니다.
снежня 02, 2025
Je suis satisfait du système de tracking, c'est très pratique et fiable.
снежня 02, 2025
Efficace, écologique et rapide: c’est la combinaison parfaite chez DiGi Electronics.
снежня 02, 2025
Ich bin immer wieder zufrieden mit der prompten Lieferung und der Verlässlichkeit der hochwertigen Produkte bei DiGi Electronics.
снежня 02, 2025
The professionalism and speed of their service left a great impression on me.
снежня 02, 2025
Great prices and even better service—DiGi Electronics truly cares about their customers.
снежня 02, 2025
I am impressed with their ongoing support after a purchase, which is rare to find.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat is de spannings- en stroomclassificatie van de SICFET N-Kanaals MOSFET (UF3C120040K4S)?
De SICFET N-Kanaals MOSFET ondersteunt een drain-naar-bron spanning van 1200V en een continue drainstroom van 65A bij 25°C, waardoor hij geschikt is voor hoogspannings- en hoogstroomtoepassingen.
Is de UF3C120040K4S MOSFET compatibel met doorboringsmontage voor eenvoudige installatie?
Ja, deze MOSFET heeft een doorboringsmontage met het TO-247-4 pakket, wat de installatie vereenvoudigt en ideaal maakt voor stroomschakeltoepassingen.
Wat zijn de belangrijkste voordelen van het gebruik van een SiC JFET (Cascode SiCJFET) zoals de UF3C120040K4S in elektronische schakelingen?
SiC JFETs bieden lagere Rds(on), hogere efficiëntie en betere thermische prestaties in vergelijking met traditionele silicium MOSFETs, waardoor ze geschikt zijn voor hoogvermogen- en hoge-temperatuuromgevingen.
Wat is het bedrijfsbereik qua temperatuur en de limieten voor vermogensbeperking van deze MOSFET?
De MOSFET functioneert effectief tussen -55°C en 175°C en kan tot 429W dissiperen bij de cascode-junctietemperatuur, wat zorgt voor betrouwbare prestatie bij hoogvermogen.
Voldoet de UF3C120040K4S MOSFET aan RoHS-regelgeving en is deze geschikt voor industrieel gebruik?
Ja, deze MOSFET is RoHS3-compatibel en beschikt over diverse certificeringen, waardoor hij geschikt is voor industriële, automotive en andere toepassingen met hoge betrouwbaarheid.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
UF3C120040K4S CAD Models
Qorvo UF3C120040K4S PCB symbols & footprints
productDetail
