Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (507 Beoordelingen)
SI2387DS-T1-GE3
Productoverzicht
12959113
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SI2387DS-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
Beschrijving
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Voorraad
15100 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SI2387DS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
395 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SI2387DS
HTML Gegevensblad
SI2387DS-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
снежня 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
снежня 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
снежня 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
снежня 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
снежня 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
снежня 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
снежня 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET?
De Vishay SI2387DS-T1-GE3 is een P-Channel MOSFET met een spanningsclassificatie van 80V, een continue afvoerstroom van 2,1A (bij 25°C) en een lage Rds On van 164 mΩ bij 10V. Het is ontworpen voor oppervlakte-montage met een SOT-23-behuizing en gemaakt met tranchtechnologie voor efficiënte schakelingprestaties.
Is de Vishay SI2387DS-T1-GE3 geschikt voor hoogfrequente schakelingstoepassingen?
Ja, de lage poogstroom (10,2 nC bij 10V) en de lage ingangs-capaciteit (395 pF bij 40V) maken deze MOSFET geschikt voor hoge schakelsnelheden en efficiënt energiemanagement in diverse elektronische apparaten.
Wat zijn de typische toepassingen van de SI2387DS-T1-GE3 P-Channel MOSFET in elektronische circuits?
Deze P-Channel MOSFET is ideaal voor belastingschakeling, energiemanagement en high-side schakeling in consumentenelektronica, automotive en industriële toepassingen vanwege zijn hoge spanningscapaciteit en lage on-weerstand.
Is de Vishay SI2387DS-T1-GE3 compatibel met standaard oppervlakte-montage processen?
Ja, het apparaat wordt geleverd in een SOT-23-3-behuizing, die veel wordt gebruikt voor oppervlakte-montagetechnologie, waardoor het compatibel is met standaard PCB-assemblage en geautomatiseerde productiemethoden.
Welke after-sales ondersteuning is beschikbaar voor de Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFET?
Aangezien het product van Vishay is en actief en op voorraad staat, zijn technische ondersteuning, datasheets en garantie meestal beschikbaar via geautoriseerde distributeurs en Vishay's klantenservicekanalen.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
