Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17233 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (310 Beoordelingen)
SI7997DP-T1-GE3
Productoverzicht
12786528
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SI7997DP-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Voorraad
17233 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SI7997DP-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A
Rds aan (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6200pF @ 15V
Vermogen - Max
46W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8 Dual
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis productnummer
SI7997
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SI7997DP
HTML Gegevensblad
SI7997DP-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Vervangende onderdelen
DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
包裝設計非常耐用，讓我對他們的品質充滿信心。
снежня 02, 2025
J'apprécie leur politique tarifaire avantageuse, idéale pour les jeunes entreprises.
снежня 02, 2025
Service client excellent et produits de grande qualité à des prix compétitifs.
снежня 02, 2025
I love their pricing strategy—it helps me stay on budget.
снежня 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers on time, ensuring my projects stay on schedule and run smoothly.
снежня 02, 2025
The packaging design is not only sturdy but also environmentally friendly, which I appreciate.
снежня 02, 2025
The packaging materials are of high quality, providing excellent protection.
снежня 02, 2025
Customer onboarding on their website is straightforward and hassle-free.
снежня 02, 2025
Fast delivery combined with excellent support makes them a trusted partner.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET-array?
De Vishay SI7997DP-T1-GE3 is een dual P-channel MOSFET-array ontworpen voor oppervlakte-montage toepassingen, met een maximale drain-source spanning van 30V, doorstroomstroom van 60A en een lage Rds(on) van 5,5 mΩ bij 20A. Het wordt geleverd in een PowerPAK® SO-8 Dual behuizing, geschikt voor hoge-kracht- en snelaansluitingscircuits.
Hoe kan ik de Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFETs gebruiken in mijn elektronische projecten?
Deze MOSFETs zijn ideaal voor stroombeheer, belastingschakeling en motorregeling projecten waar efficiënte schakeling en lage geleidingsverliezen vereist zijn. Het oppervlakte-montage ontwerp maakt ze geschikt voor compacte, hoogwaardige printplaten.
Is de Vishay SI7997DP-T1-GE3 compatibel met standaard oppervlakte-montagetechnieken voor solderen?
Ja, de MOSFET-array beschikt over een PowerPAK® SO-8 Dual behuizing die compatibel is met standaard oppervlakte-montagesoldeertechnieken, waardoor een eenvoudige integratie in moderne PCB-designs mogelijk is.
Wat zijn de voordelen van het gebruik van Vishay's TrenchFET®-technologie in deze MOSFET-array?
TrenchFET®-technologie biedt een lagere Rds(on), verbeterde efficiëntie en betere schakelingprestaties, wat helpt om warmteafvoer te verminderen en de algehele betrouwbaarheid in krachttoepassingen te vergroten.
Wordt de Vishay SI7997DP-T1-GE3 geleverd met garantie of after-sales ondersteuning?
Als een nieuw, origineel en op voorraad product wordt het doorgaans geleverd met ondersteuning van de fabrikant en voldoet het aan RoHS3-normen, wat de kwaliteit en milieuvriendelijkheid waarborgt. Raadpleeg uw leverancier voor specifieke garantievoorwaarden.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
