SIR610DP-T1-RE3 >
SIR610DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
23367 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen (Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (498 Beoordelingen)

SIR610DP-T1-RE3

Productoverzicht

12786967

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SIR610DP-T1-RE3-DG
SIR610DP-T1-RE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8

Voorraad

23367 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

Kwaliteitswaarborg

365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.

90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.

Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.

Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking

Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen

100% ESD Antistatische Verpakkingen

Real-time tracking voor elk bestel

Veilige & Flexibele Betaling

Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer

Alle betalingen versleuteld voor beveiliging

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 1 16.1082 16.1082
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen (Verzendt morgen)
* Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SIR610DP-T1-RE3 Technische specificaties

Categorie Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Reeks ThunderFET®

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 35.4A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 7.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V

Vgs (Max.) ±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 100 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 104W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket PowerPAK® SO-8

Pakket / Doos PowerPAK® SO-8

Basis productnummer SIR610

Datasheet & Documenten

Technische fiches

SIR610DP

HTML Gegevensblad

SIR610DP-T1-RE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR610DP-T1-RE3CT
SIR610DP-T1-RE3DKR
SIR610DP-T1-RE3TR

Vervangende onderdelen

DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
QS8J4TR
Rohm Semiconductor
3357
QS8J4TR-DG
0.3676
MFR Recommended

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
夜***者
снежня 02, 2025
5.0
店家的價格一向很實惠,我經常在這裡買日常用品。
Hirond***eLibre
снежня 02, 2025
5.0
Très satisfait de la rapidité de livraison et de la sécurité de l'emballage. Excellent service.
Crys***Quest
снежня 02, 2025
5.0
Shopping at DiGi Electronics offers great value with no fuss.
Wild***amer
снежня 02, 2025
5.0
DiGi Electronics consistently provides affordable options with great usability.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Veelgestelde vragen (FAQ)

Wat zijn de belangrijkste toepassingen van de Vishay SIR610DP-T1-RE3 N-kanaals MOSFET?

De Vishay SIR610DP-T1-RE3 is ideaal voor vermogensschakelingen, motorbesturing en belastingschakeling in diverse elektronische apparaten dankzij de hoge stroomcapaciteit en spanningsspecificaties.

Is de Vishay SIR610DP-T1-RE3 compatibel met standaard surface mount PCB-ontwerpen?

Ja, deze MOSFET is ontworpen met een PowerPAK® SO-8 behuizing, waardoor het geschikt is voor oppervlakte-montage op standaard printplaten voor efficiënte montage en thermisch beheer.

Wat zijn de belangrijkste elektrische kenmerken van deze vermogense MOSFET?

Deze MOSFET heeft een drain-source spanning van 200V, een continue drainstroom van 35,4A bij 25°C, en een Rds On Max van 31,9 milliohm bij een Vgs van 10V, waardoor hij geschikt is voor toepassingen met hoge stroom.

Hoe presteert de Vishay SIR610DP-T1-RE3 op het gebied van thermische dissipatie?

Hij kan tot 104W dissiperen bij de maximale junctiontemperatuur, wat zorgt voor betrouwbare werking in vermogenschakelingen binnen het temperatuurbereik van -55°C tot 150°C.

Kan ik de Vishay SIR610DP-T1-RE3 in grote hoeveelheden bestellen, en wat is de huidige voorraad?

Ja, deze MOSFET is op voorraad met ongeveer 19.077 eenheden, geschikt voor bulkbestellingen of grootschalige projecten, en voldoet aan RoHS3-voorschriften voor milieuvriendelijke toepassing.

Kwaliteitswaarborg (QC)

DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.

Kwaliteitswaarborg
Nep counterfeit en defecten voorkomen

Nep counterfeit en defecten voorkomen

Uitgebreide screening om vervalste, gereviseerde of defecte componenten te identificeren, zodat alleen authentieke en conforme onderdelen worden geleverd.

Visuele en verpakkinginspectie

Visuele en verpakkinginspectie

Elektrische prestatieverificatie

Verificatie van de componentuiterlijk, markeringen, datacodes, verpakkingsintegriteit en labelconsistentie om traceerbaarheid en conformiteit te waarborgen.

Levens- en betrouwbaarheidsevaluatie

DiGi Certificering
Blogs en Berichten
SIR610DP-T1-RE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Nog geen account? Registreren