SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (480 Beoordelingen)

SIR610DP-T1-RE3

Productoverzicht

12786967

DiGi Electronics Onderdeelnummer

SIR610DP-T1-RE3-DG

Fabrikant

Vishay Siliconix
SIR610DP-T1-RE3

Beschrijving

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8

Voorraad

Offerte Aanvragen Online
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Enkele FET's, MOSFET's
SIR610DP-T1-RE3 Datasheet
Aantal
Minimaal 1

Aankoop en aanvraag

RFQ (Verzoek om Offertes)

U kunt uw RFQ-aanvraag rechtstreeks op de productdetailpagina of RFQ-pagina indienen. Ons verkoopteam zal binnen 24 uur op uw aanvraag reageren.

Betalingsmethode

We bieden verschillende handige betalingsmethoden aan, waaronder PayPal (aanbevolen voor nieuwe klanten), creditcards en bankoverschrijvingen (T/T) in USD, EUR, HKD en andere valuta.

BELANGRIJKE KENNISGEVING

Nadat u uw offerteaanvraag heeft verzonden, ontvangt u een e-mail in uw inbox over onze ontvangst van uw aanvraag. Als u deze niet ontvangt, is het mogelijk dat ons e-mailadres als spam wordt gemarkeerd. Controleer uw spammap en voeg ons e-mailadres [email protected] toe aan uw lijst met veilige afzenders om ervoor te zorgen dat u onze offerte ontvangt. Vanwege de mogelijkheid van voorraad- en prijsfluctuaties, moet ons verkoopteam uw aanvraag of bestelling opnieuw bevestigen en u tijdig per e-mail op de hoogte stellen van eventuele updates. Als u andere vragen heeft of extra hulp nodig heeft, laat het ons dan gerust weten.

Op voorraad (Alle prijzen zijn in USD)
  • AANTAL Doelprijs Totale Prijs
  • 3000 0.78 2325.74
  • 6000 0.71 4288.17
  • 9000 0.71 6356.01
Betere prijs via online offerte-aanvraag.
Offerte Aanvragen(Verzendt morgen)
Aantal
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

SIR610DP-T1-RE3 Technische specificaties

Categorie FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant Vishay

Verpakking Tape & Reel (TR)

Reeks ThunderFET®

Toestand van het product Active

Soort FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS) 200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C 35.4A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan) 7.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V

Vgs (Max.) ±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 100 V

FET-functie -

Vermogensdissipatie (max.) 104W (Tc)

Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage Surface Mount

Leverancier Device Pakket PowerPAK® SO-8

Pakket / Doos PowerPAK® SO-8

Basis productnummer SIR610

Datasheet & Documenten

Datasheets

Downloaden SIR610DP-T1-RE3 Product Specificatie (PDF)
Technische fiches

SIR610DP
HTML Gegevensblad

SIR610DP-T1-RE3-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN) EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR610DP-T1-RE3CT
SIR610DP-T1-RE3DKR
SIR610DP-T1-RE3TR

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
Fabrikant
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
DEELNUMMER
EENHEIDSPRIJS
SUBSTITUTIE TYPE
QS8J4TR
Rohm Semiconductor
8078
QS8J4TR-DG
0.37
MFR Recommended
DIGI Certificering
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Gerelateerde Producten
Blogs en Berichten
Latest Advancements in Integrated Circuit Technology: Analysis of Five Cutting-Edge Technologies
сту 18 2025
Advances in Inductor Technology: Innovative Applications of LTCC and High-Frequency Resonant Converters
сту 18 2025
Circuitbeveiliging: sleuteltechnologieën voor het waarborgen van de veiligheid van industriële en auto-elektronische systemen
сту 18 2025