Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (353 Beoordelingen)
SISS76LDN-T1-GE3
Productoverzicht
12945157
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SISS76LDN-T1-GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SISS76LDN-T1-GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAKVoorraad
360300 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SISS76LDN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
70 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
3.3V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 35 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8SH
Basis productnummer
SISS76
Datasheet & Documenten
Technische fiches
N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
HTML Gegevensblad
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
снежня 02, 2025
Die Website arbeitet effizient, was mir beim täglichen Geschäft sehr hilft. Plus, die Preise sind super.
снежня 02, 2025
発送が迅速で、届いた商品も非常に満足できるものでした。
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay SISS76LDN-T1-GE3 N-channel MOSFET?
Deze MOSFET biedt een drain-naar-bron spanning van 70V, een continue drainstroom tot 67,4A bij casetemperatuur, en heeft een lage Rds On van 6,25 milliohm, waardoor het geschikt is voor efficiënte vermogensapplicaties. Het is gebouwd met TrenchFET® Gen IV technologie en wordt geleverd in een Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH behuizing.
Is de Vishay SISS76LDN-T1-GE3 compatibel met lage spanning logische drivers?
Ja, deze MOSFET kan worden aangedreven met logische spanningen vanaf 3,3V, dankzij de maximale gatespanning en lage Rds On specificaties, waardoor het compatibel is met moderne laagspannings besturingscircuits.
Wat zijn de typische toepassingen voor deze PowerPAK MOSFET?
Deze N-channel MOSFET is ideaal voor vermogensschakeling in hoogefficiënte voedingen, motoraansluitingen, LED-verlichting en andere toepassingen die hoge stroomafname en lage schakeldrops vereisen.
Is de Vishay SISS76LDN-T1-GE3 geschikt voor omgevingen met hoge temperaturen?
Ja, hij werkt binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 150°C, waardoor hij betrouwbaar presteert in veeleisende thermische condities die doorgaans voorkomen in vermogenselektronica.
Welke garantiemogelijkheden en ondersteuning zijn beschikbaar bij de aanschaf van deze MOSFET?
Als een nieuwe en originele voorraadonderdeel wordt deze MOSFET gedekt door de standaard ondersteuning- en garantiebepalingen van Vishay. Voor specifieke nazorg, neem contact op met de distributeur of rechtstreeks met Vishay.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SISS76LDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
