Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (431 Beoordelingen)
SQJQ112E-T1_GE3
Productoverzicht
12965597
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SQJQ112E-T1_GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
Beschrijving
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)Voorraad
240100 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SQJQ112E-T1_GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
296A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
15945 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
600W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 8 x 8
Pakket / Doos
PowerPAK® 8 x 8
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SQJQ112E
HTML Gegevensblad
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
снежня 02, 2025
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
снежня 02, 2025
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
снежня 02, 2025
Impressed with their responsiveness and clear communication.
снежня 02, 2025
Their commitment to continuous support ensures that we always have help when needed.
снежня 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste kenmerken van de Vishay automotive N-channel MOSFET (SQJQ112E-T1_GE3)?
Deze MOSFET biedt een spanning van 100V, een hoge continue afstroom van 296A en een maximale dissipatie van 600W. Hij beschikt over een lage Rds On (2,53 mΩ bij 20A, 10V) en is ontworpen voor autotoepassingen, wat zorgt voor betrouwbare prestaties in hoogvermogenomgevingen.
Is de Vishay SQJQ112E-T1_GE3 geschikt voor elektronische systemen in auto's?
Ja, deze MOSFET is specifiek gekwalificeerd voor gebruik in automotive toepassingen volgens de AEC-Q101-norm, waardoor hij ideaal is voor autovermogenbeheer, motorbesturingen en industriële elektronica die hoge duurzaamheid en betrouwbaarheid vereisen.
Wat is het werktemperatuurbereik van deze power MOSFET?
De Vishay SQJQ112E-T1_GE3 kan functioneren binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 175°C (TJ), wat hem geschikt maakt voor ruige automotive- en industriële omgevingen.
Ondersteunt deze MOSFET oppervlakte-montagetechnologie voor eenvoudige PCB-plaatsing?
Ja, hij beschikt over een PowerPAK® 8 x 8 behuizing met oppervlaktemontage, wat eenvoudige montage en goede thermische prestaties mogelijk maakt.
Wat moet ik weten over de elektrische eigenschappen en betrouwbaarheid van deze MOSFET?
Deze MOSFET heeft een poortdrempelspanning van ongeveer 3,5V, een lage gatespanning van 272 nC en uitstekende stroomafname, waardoor hij lage conductieverliezen en hoge stabiliteit biedt in veeleisende toepassingen.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
