Nep counterfeit en defecten voorkomen
Visuele en verpakkinginspectie
Elektrische prestatieverificatie
Servicemail:
[email protected]
>
SQJ488EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
3673 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Offerte Aanvragen
(Verzendt morgen)
*Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
5.0 / 5.0
- (150 Beoordelingen)
SQJ488EP-T1_GE3
Productoverzicht
13006422
DiGi Electronics Onderdeelnummer
SQJ488EP-T1_GE3-DGFabrikant
Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8Voorraad
3673 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Aankoop en aanvraag
Garantie & Retouren
Hoe te bestellen
Verzending & Bezorging
Kwaliteitswaarborg
365 - Dagelijkse kwaliteitsgarantie - Elk onderdeel volledig gedekt.
90-Daagse Terugbetaling of Ruil - Beschadigde onderdelen? Geen gedoe.
Beperkte voorraad, Bestel nu - Krijg betrouwbare onderdelen zonder zorgen.
Wereldwijde verzending & Beveiligde verpakking
Wereldwijde levering binnen 3-5 werkdagen
100% ESD Antistatische Verpakkingen
Real-time tracking voor elk bestel
Veilige & Flexibele Betaling
Creditcard, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Overschrijvingsopdracht (T/T) en meer
Alle betalingen versleuteld voor beveiliging
SQJ488EP-T1_GE3 Technische specificaties
Categorie
Transistors, FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
979 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SQJ488
Datasheet & Documenten
HTML Gegevensblad
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
снежня 02, 2025
The attention to detail in DiGi Electronics' manufacturing process is commendable.
снежня 02, 2025
The superior quality of their products has improved the overall reliability of our prototypes.
снежня 02, 2025
I appreciate their fair prices and commitment to eco-friendly packaging.
снежня 02, 2025
They often have sales that further lower the already great prices, enhancing my shopping experience.
снежня 02, 2025
Their pricing advantage allows me to buy multiple items with confidence in their packaging.
снежня 02, 2025
The overall shopping experience was smooth, from browsing to delivery.
снежня 02, 2025
Speedy delivery and excellent customer support left me completely satisfied.
снежня 02, 2025
The website provides a seamless browsing experience, making it easy to find what I need quickly.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Veelgestelde vragen (FAQ)
Wat zijn de belangrijkste functies en specificaties van de Vishay SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET?
De Vishay SQJ488EP-T1_GE3 is een N-Channel MOSFET met een spanningsclassificatie van 100V, een continue afvoerstroom van 42A en een dissipatievermogen van 83W. Het beschikt over een PowerPAK® SO-8 behuizing, een hoge stroomcapaciteit en een lage Rds On voor efficiënte prestaties.
Is deze MOSFET geschikt voor autotoepassingen?
Ja, deze MOSFET voldoet aan de AEC-Q101 norm, waardoor hij geschikt is voor autotoepassingen die betrouwbare vermogensschakeling vereisen onder zware omstandigheden.
Wat is het bedrijfstemperatuurbereik van de Vishay SQJ488EP-T1?
De MOSFET kan werken binnen een temperatuurbereik van -55°C tot 175°C, wat duurzaamheid en betrouwbare prestaties in diverse omgevingen garandeert.
Hoe compatibel is deze N-Channel MOSFET met verschillende poort-spanningen?
Deze MOSFET kan worden aangestuurd met een maximale Vgs van ±20V en vereist een poortstroomspanning van 4,5V tot 10V voor optimale Rds On, waardoor hij compatibel is met gangbare poortstuurcirkels.
Welke verpakkingsopties zijn beschikbaar voor deze MOSFET en hoe beïnvloeden die de installatie?
De MOSFET is verkrijgbaar in Tape & Reel (TR) en Cut Tape (CT) verpakkingen, die beide geschikt zijn voor geautomatiseerde oppervlakte-montage, wat een efficiënte installatie in elektronische productie mogelijk maakt.
Kwaliteitswaarborg (QC)
DiGi waarborgt de kwaliteit en authenticiteit van elk elektronisch onderdeel door middel van professionele inspecties en batchsampling, waardoor betrouwbare inkoop, stabiele prestaties en naleving van technische specificaties worden gegarandeerd. Dit helpt klanten risicobeperking in de toeleveringsketen en het vertrouwen in het gebruik van componenten in productie te vergroten.
SQJ488EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
